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제품 특성
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
|---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | onsemi | |
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 활성 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A, 27A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 13A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 2.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 1695pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | 8-PowerTDFN | |
공급 장치 패키지 | Power56 | |
기준 제품 번호 |
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발송지: Flip Electronics
대한민국