FDME410NZT onsemi | 이산 반도체 제품

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사용 가능한 대체품:

유사

onsemi

재고 있음: 2,679

단가 : ₩1,776.00000

유사

onsemi

재고 있음: 2,440

단가 : ₩2,023.00000

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FDME410NZT
DigiKey 제품 번호	FDME410NZTTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	onsemi
제조업체 제품 번호	FDME410NZT
제품 요약	MOSFET N-CH 20V 7A MICROFET
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 20 V 7A(Ta) 2.1W(Ta) 표면 실장 MicroFet 1.6x1.6 Thin
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	onsemi
계열	PowerTrench®
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	7A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	26m옴 @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(최대) @ Id	1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)	±8V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1025 pF @ 10 V
FET 특징	-
내전력(최대)	2.1W(Ta)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	MicroFet 1.6x1.6 Thin
패키지/케이스	6-PowerUFDFN
기준 제품 번호	FDME41