FDI3652 onsemi | 이산 반도체 제품

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사용 가능한 대체품:

유사

onsemi

재고 있음: 1,323

단가 : ₩4,077.00000

유사

Rochester Electronics, LLC

재고 있음: 920

단가 : ₩2,138.40191

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	onsemi
계열	PowerTrench®
포장	튜브
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	9A(Ta), 61A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	6V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	16m옴 @ 61A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2880 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	150W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	자동차
인증	AEC-Q101
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-262(I2PAK)
패키지/케이스	TO-262-3 장리드, I2PAK, TO-262AA
기준 제품 번호	FDI3652