종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 110 nC @ 10 V
제조업체 onsemi	Vgs(최대) ±20V
계열 PowerTrench®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 6000 pF @ 25 V
포장 튜브	내전력(최대) 310W(Tc)
부품 현황 단종	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
FET 유형 N채널	등급 자동차
기술 MOSFET(금속 산화물)	인증 AEC-Q101
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 12A(Ta), 80A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-262(I2PAK)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	패키지/케이스 TO-262-3 장리드, I2PAK, TO-262AA
Rds On(최대) @ Id, Vgs 9m옴 @ 80A, 10V	기준 제품 번호 FDI3632
Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
AOB288L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOB288L-ND	₩8.05245	유사
BUK969R3-100E,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-1064-2-ND	₩10.71256	유사
IPI076N12N3GAKSA1	Infineon Technologies	66	IPI076N12N3GAKSA1-ND	₩31.82000	유사
IPI086N10N3GXKSA1	Infineon Technologies	28	IPI086N10N3GXKSA1-ND	₩19.90000	유사
SUM70090E-GE3	Vishay Siliconix	4,533	SUM70090E-GE3CT-ND	₩20.96000	유사

FDI3632