FDG6335N은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
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종류 | Rds On(최대) @ Id, Vgs 300m옴 @ 700mA, 4.5V |
제조업체 onsemi | Vgs(th)(최대) @ Id 1.5V @ 250µA |
계열 | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 1.4nC(4.5V) |
포장 테이프 및 릴(TR) | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 113pF @ 10V |
부품 현황 단종 | 전력 - 최대 300mW |
기술 MOSFET(금속 산화물) | 작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ) |
구성 2 N-Chan(이중) | 실장 유형 표면 실장 |
FET 특징 논리 레벨 게이트 | 패키지/케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
드레인 - 소스 전압(Vdss) 20V | 공급 장치 패키지 SC-88(SC-70-6) |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 700mA | 기준 제품 번호 |
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제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(3)
| 부품 번호 | 제조업체 | 주문 가능 수량 | DigiKey 제품 번호 | 단가 | 대체품 유형 |
|---|---|---|---|---|---|
| NTJD4401NT1G | onsemi | 0 | NTJD4401NT1GOSCT-ND | ₩765.00000 | 제조업체 추천 |
| AO7800 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1094-2-ND | ₩199.80783 | 유사 |
| PMGD175XNEX | Nexperia USA Inc. | 20 | 1727-2695-1-ND | ₩921.00000 | 유사 |
단종
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