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FDG6335N은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
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유사
제품 특성
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
|---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | onsemi | |
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 700mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 700mA, 4.5V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 1.4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 113pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88(SC-70-6) | |
기준 제품 번호 |
단종
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1 품목
대한민국