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BUK9217-75B,118
Nexperia USA Inc.
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IPD127N06LGBTMA1
Infineon Technologies
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IPD50N06S214ATMA1
Infineon Technologies
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IPD50N06S4L12ATMA1
Infineon Technologies
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IRLR2905ZTRPBF
Infineon Technologies
재고 있음: 8,887
단가 : ₩2,208.00000
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IRLR3915PBF
Infineon Technologies
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000
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SQD40N06-25L-GE3
Vishay Siliconix
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단가 : ₩0.00000

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STD70N6F3
STMicroelectronics
재고 있음: 2,197
단가 : ₩4,309.00000
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N채널 60 V 9.5A(Ta), 50A(Tc) 125W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
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N채널 60 V 9.5A(Ta), 50A(Tc) 125W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
TO-252AA

FDD14AN06LA0-F085

DigiKey 제품 번호
FDD14AN06LA0-F085TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
onsemi
제조업체 제품 번호
FDD14AN06LA0-F085
제품 요약
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 60 V 9.5A(Ta), 50A(Tc) 125W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
onsemi
계열
PowerTrench®
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9.5A(Ta), 50A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
11.6m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
32 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2810 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
125W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
자동차
인증
AEC-Q101
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-252AA
패키지/케이스
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
기준 제품 번호
FDD14AN06
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