Name: FDB86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDB86102LZTR-ND
Price: 4418 KRW
Availability: InStock

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FDB86102LZ
DigiKey 제품 번호	FDB86102LZTR-ND - 테이프 및 릴(TR) FDB86102LZCT-ND - 컷 테이프(CT) FDB86102LZDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	onsemi
제조업체 제품 번호	FDB86102LZ
제품 요약	MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
제조업체 표준 리드 타임	25주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 8.3A(Ta), 30A(Tc) 3.1W(Ta) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 250µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 21 nC @ 10 V
계열 PowerTrench®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1275 pF @ 50 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 3.1W(Ta)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	공급 장치 패키지 TO-263(D2PAK)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 8.3A(Ta), 30A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 FDB86102
Rds On(최대) @ Id, Vgs 24m옴 @ 8.3A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(11)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
NTB6413ANT4G	onsemi	908	NTB6413ANT4GOSCT-ND	₩293.54000	유사
BUK7626-100B,118	Nexperia USA Inc.	28	1727-4705-1-ND	₩229.24000	유사
BUK9629-100B,118	Nexperia USA Inc.	85	1727-4716-1-ND	₩242.28000	유사
IPB35N10S3L26ATMA1	Infineon Technologies	6,718	448-IPB35N10S3L26ATMA1CT-ND	₩268.38000	유사
IRF3710STRLPBF	Infineon Technologies	8,239	IRF3710STRLPBFCT-ND	₩294.47000	유사