종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 185 nC @ 10 V
계열 PowerTrench®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 9310 pF @ 25 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 188W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 40 V	공급 장치 패키지 TO-263(D2PAK)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 25A(Ta), 120A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 FDB844
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3m옴 @ 80A, 10V

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IRF1404ZSTRLPBF	Infineon Technologies	4,227	IRF1404ZSTRLPBFCT-ND	₩4,235.00000	유사
IXTA220N04T2	IXYS	0	IXTA220N04T2-ND	₩4,111.86000	유사
STB100NF04T4	STMicroelectronics	1,145	497-5951-1-ND	₩5,809.00000	유사
STB120N4F6	STMicroelectronics	1,515	497-10768-1-ND	₩4,235.00000	유사
STB120N4LF6	STMicroelectronics	985	497-11096-1-ND	₩4,296.00000	유사

FDB8443