종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4.5V @ 250µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 133 nC @ 10 V
계열 PowerTrench®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 8235 pF @ 25 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 231W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60 V	공급 장치 패키지 TO-263(D2PAK)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 120A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 FDB039
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.9m옴 @ 75A, 10V

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IPB029N06N3GATMA1	Infineon Technologies	4,901	IPB029N06N3GATMA1CT-ND	₩4,739.00000	유사
IPB037N06N3GATMA1	Infineon Technologies	3,727	IPB037N06N3GATMA1CT-ND	₩4,296.00000	유사
IPB80N06S405ATMA2	Infineon Technologies	166	448-IPB80N06S405ATMA2CT-ND	₩4,235.00000	유사
NP82N055PUG-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	0	NP82N055PUG-E1-AYTR-ND	₩2,123.42625	유사
PSMN4R6-60BS,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-7122-1-ND	₩4,678.00000	유사

FDB039N06