종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 5V @ 250µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 181 nC @ 10 V
계열 SuperMOS™	Vgs(최대) ±30V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 6640 pF @ 25 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 312.5W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	공급 장치 패키지 TO-247-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 35A(Tc)	패키지/케이스 TO-247-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 FCH35
Rds On(최대) @ Id, Vgs 98m옴 @ 17.5A, 10V

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
NTHL099N60S5	onsemi	139	488-NTHL099N60S5-ND	₩9,708.00000	제조업체 추천
APT53N60BC6	Microchip Technology	0	APT53N60BC6-ND	₩12,784.04286	유사
IPW60R070C6FKSA1	Infineon Technologies	1,632	448-IPW60R070C6FKSA1-ND	₩17,123.00000	유사
SCT3060ALGC11	Rohm Semiconductor	862	SCT3060ALGC11-ND	₩25,103.00000	유사
STW48NM60N	STMicroelectronics	373	497-11367-5-ND	₩15,120.00000	유사

FCH35N60