종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.5V @ 250µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 95 nC @ 10 V
계열 SuperFET® II	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2990 pF @ 380 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 278W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	공급 장치 패키지 TO-247-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 29A(Tc)	패키지/케이스 TO-247-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 FCH125
Rds On(최대) @ Id, Vgs 125m옴 @ 14.5A, 10V

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
NTHL120N60S5Z	onsemi	259	488-NTHL120N60S5Z-ND	₩10,961.00000	제조업체 추천
IPW60R125P6XKSA1	Infineon Technologies	156	IPW60R125P6XKSA1-ND	₩9,662.00000	유사
IXFH34N65X2	IXYS	2,789	238-IXFH34N65X2-ND	₩17,107.00000	유사
SCT3080ALGC11	Rohm Semiconductor	413	SCT3080ALGC11-ND	₩20,608.00000	유사
SIHG28N65EF-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHG28N65EF-GE3-ND	₩4,762.21200	유사

FCH125N60E