2N7002ET3G은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
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유사


onsemi
재고 있음: 201,679
단가 : ₩911.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 216,063
단가 : ₩324.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 293,219
단가 : ₩479.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 888,238
단가 : ₩571.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 128,655
단가 : ₩479.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 81,385
단가 : ₩278.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 4,238
단가 : ₩324.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 0
단가 : ₩293.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 137,567
단가 : ₩448.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 7,105
단가 : ₩1,375.00000
규격서
N채널 60 V 260mA(Ta) 300mW(Tj) 표면 실장 SOT-23-3(TO-236)
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2N7002ET3G

DigiKey 제품 번호
2N7002ET3G-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
2N7002ET3G
제품 요약
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 60 V 260mA(Ta) 300mW(Tj) 표면 실장 SOT-23-3(TO-236)
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2.5옴 @ 240mA, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
26.7 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
300mW(Tj)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
SOT-23-3(TO-236)
패키지/케이스
기준 제품 번호
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단종
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