BFG520W/X,115 NXP USA Inc. | 양극 RF 트랜지스터

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터	전력 - 최대 500mW
제조업체 NXP USA Inc.	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 6V
포장 테이프 및 릴(TR)	전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 70mA
부품 현황 단종	작동 온도 175°C(TJ)
트랜지스터 유형 NPN	실장 유형 표면 실장
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) 15V	패키지/케이스 SOT-343 역방향 핀구성
주파수 - 트랜지션 9GHz	공급 장치 패키지 4-SO
잡음 지수(dB 통상 @ f) 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz	기준 제품 번호 BFG52

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

단종

이 제품은 더 이상 제조되지 않습니다.

BFG520W/X,115