1200 V 214A(Tc) 표면 실장 웨이퍼
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NC1M120C12WDCU

DigiKey 제품 번호
3372-NC1M120C12WDCU-ND
제조업체
NovuSem
제조업체 제품 번호
NC1M120C12WDCU
제품 요약
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
고객 참조 번호
제품 세부 정보
1200 V 214A(Tc) 표면 실장 웨이퍼
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
NovuSem
계열
NC1M
포장
트레이
부품 현황
활성
기술
SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
214A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
20V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
12m옴 @ 20A, 20V
Vgs(th)(최대) @ Id
3.5V @ 40mA
Vgs(최대)
+22V, -8V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
8330 pF @ 1000 V
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
웨이퍼
패키지/케이스
다이
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재고: 218
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트레이
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218₩96,842.23853₩21,111,608
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