종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 59.8 nC @ 10 V
제조업체 Nexperia USA Inc.	Vgs(최대) ±20V
계열 TrenchMOS™	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 4682 pF @ 25 V
포장 테이프 및 릴(TR)	내전력(최대) 182W(Tc)
부품 현황 단종	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
FET 유형 N채널	등급 자동차
기술 MOSFET(금속 산화물)	인증 AEC-Q101
드레인 - 소스 전압(Vdss) 80 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 75A(Tc)	공급 장치 패키지 D2PAK
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
Rds On(최대) @ Id, Vgs 9.6m옴 @ 20A, 10V	기준 제품 번호 BUK769
Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 1mA

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
AOB288L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AOB288L-ND	₩1,497.36375	유사
HUF75545S3ST	onsemi	555	HUF75545S3STCT-ND	₩5,779.00000	유사
IXTA130N10T	IXYS	703	238-IXTA130N10T-ND	₩10,197.00000	유사
IXTA130N10T-TRL	IXYS	0	IXTA130N10T-TRLTR-ND	₩5,140.01625	유사
RSJ650N10TL	Rohm Semiconductor	260	RSJ650N10TLCT-ND	₩12,307.00000	유사

BUK769R6-80E,118