종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 29.4 nC @ 10 V
제조업체 Nexperia USA Inc.	Vgs(최대) ±20V
계열 TrenchMOS™	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1738 pF @ 25 V
포장 테이프 및 릴(TR)	내전력(최대) 96W(Tc)
부품 현황 단종	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
FET 유형 N채널	등급 자동차
기술 MOSFET(금속 산화물)	인증 AEC-Q101
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 34A(Tc)	공급 장치 패키지 D2PAK
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
Rds On(최대) @ Id, Vgs 31m옴 @ 10A, 10V	기준 제품 번호 BUK7631
Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 1mA

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
DI054N10D1-AQ	Diotec Semiconductor	2,480	4878-DI054N10D1-AQCT-ND	₩1,896.00000	유사
HUF75639S3	onsemi	800	HUF75639S3-ND	₩5,626.00000	유사
HUF75639S3ST	onsemi	0	HUF75639S3STCT-ND	₩5,641.00000	유사
IPB35N10S3L26ATMA1	Infineon Technologies	6,718	448-IPB35N10S3L26ATMA1CT-ND	₩4,403.00000	유사
IXTA75N10P	IXYS	151	IXTA75N10P-ND	₩10,793.00000	유사

BUK7631-100E,118