GA04JT17-247 Navitas Semiconductor, Inc. | 단일 FET, MOSFET

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 480m옴 @ 4A
제조업체 Navitas Semiconductor, Inc.	내전력(최대) 106W(Tc)
포장 튜브	작동 온도 175°C(TJ)
부품 현황 단종	실장 유형 스루홀
기술 SiC(실리콘 카바이드 접합 트랜지스터)	공급 장치 패키지 TO-247AB
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1700 V	패키지/케이스 TO-247-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 4A(Tc)(95°C)

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GA04JT17-247