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G3R30MT12K

DigiKey 제품 번호
1913-G3R30MT12K-ND
제조업체
Navitas Semiconductor, Inc.
제조업체 제품 번호
G3R30MT12K
제품 요약
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
제조업체 표준 리드 타임
20주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 1200 V 90A(Tc) 400W(Tc) 스루홀 TO-247-4
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Navitas Semiconductor, Inc.
계열
G3R™
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
90A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
15V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
36m옴 @ 50A, 15V
Vgs(th)(최대) @ Id
2.69V @ 12mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
155 nC @ 15 V
Vgs(최대)
±15V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
3901 pF @ 800 V
FET 특징
-
내전력(최대)
400W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-247-4
패키지/케이스
TO-247-4
기준 제품 번호
G3R30
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튜브
수량 단가 총액
1₩41,462.00000₩41,462
30₩26,826.03333₩804,781
120₩25,612.60833₩3,073,513
제조업체 표준 포장
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.
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