Name: G3R160MT12D
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R160MT12D-ND
Price: 14860 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.69V @ 5mA
제조업체 Navitas Semiconductor, Inc.	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 28 nC @ 15 V
계열 G3R™	Vgs(최대) ±15V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 730 pF @ 800 V
부품 현황 최종 구매 가능일	내전력(최대) 123W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	공급 장치 패키지 TO-247-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 22A(Tc)	패키지/케이스 TO-247-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V	기준 제품 번호 G3R160
Rds On(최대) @ Id, Vgs 192m옴 @ 10A, 15V