Name: G3F25MT06J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F25MT06J-TR-ND
Price: 30316 KRW
Availability: InStock

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G3F25MT06J-TR
DigiKey 제품 번호	1913-G3F25MT06J-TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 1913-G3F25MT06J-TRCT-ND - 컷 테이프(CT) 1913-G3F25MT06J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Navitas Semiconductor, Inc.
제조업체 제품 번호	G3F25MT06J-TR
제품 요약	650V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFET
제조업체 표준 리드 타임	20주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 108A(Tc) 343W(Tc) 표면 실장 TO-263-7

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 108 nC @ 18 V
제조업체 Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(최대) +22V, -10V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2939 pF @ 400 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 343W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 SiC(실리콘 카바이드 접합 트랜지스터)	등급 자동차
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	인증 AEC-Q101
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 108A(Tc)	실장 유형 표면 실장
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V, 18V	공급 장치 패키지 TO-263-7
Rds On(최대) @ Id, Vgs 27.5m옴 @ 35A, 18V	패키지/케이스 TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
Vgs(th)(최대) @ Id 4.3V @ 15mA