MOSFET - 어레이 600V 80mA 1.3W 표면 실장 8-SOIC
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LN60A01ES-LF

DigiKey 제품 번호
LN60A01ES-LF-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
LN60A01ES-LF
제품 요약
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 600V 80mA 1.3W 표면 실장 8-SOIC
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Monolithic Power Systems Inc.
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
기술
MOSFET(금속 산화물)
구성
3개 N 채널, 공통 게이트
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
80mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs
190옴 @ 10mA, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
1.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
-
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
-
전력 - 최대
1.3W
작동 온도
-20°C ~ 125°C(TJ)
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
공급 장치 패키지
8-SOIC
기준 제품 번호
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