MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV), 700V 472A(Tc), 442A(Tc) 1846W(Tc), 1161W(Tc) 섀시 실장
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MSCSM120HRM052NG

DigiKey 제품 번호
150-MSCSM120HRM052NG-ND
제조업체
Microchip Technology
제조업체 제품 번호
MSCSM120HRM052NG
제품 요약
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 472A
제조업체 표준 리드 타임
20주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV), 700V 472A(Tc), 442A(Tc) 1846W(Tc), 1161W(Tc) 섀시 실장
규격서
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제품 특성
유형
제품 요약
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종류
제조업체
Microchip Technology
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
기술
실리콘 카바이드(SiC)
구성
4 N 채널(3레벨 인버터)
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200V(1.2kV), 700V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
472A(Tc), 442A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
5.2m옴 @ 240A, 20V, 4.8m옴 @ 160A, 20V
Vgs(th)(최대) @ Id
2.8V @ 18mA, 2.4V @ 16mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1392nC @ 20V, 860nC @ 20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
18100pF @ 1000V, 18000pF @ 700V
전력 - 최대
1846W(Tc), 1161W(Tc)
작동 온도
-40°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형
섀시 실장
패키지/케이스
모듈
공급 장치 패키지
-
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수량
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튜브
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1₩1,120,478.00000₩1,120,478
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