MOSFET - 어레이 100V 120A(Tc) 표면 실장 ISOPLUS-DIL™
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MTI85W100GC-SMD

DigiKey 제품 번호
238-MTI85W100GC-SMD-ND
제조업체
IXYS
제조업체 제품 번호
MTI85W100GC-SMD
제품 요약
MOSFET 6N-CH 100V 120A ISOPLUS
제조업체 표준 리드 타임
43주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 100V 120A(Tc) 표면 실장 ISOPLUS-DIL™
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
IXYS
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
기술
MOSFET(금속 산화물)
구성
6 N-Chan(3상 브리지)
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
120A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
4m옴 @ 80A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
3.5V @ 150µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
88nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
-
전력 - 최대
-
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
17-SMD, 갈매기날개형
공급 장치 패키지
ISOPLUS-DIL™
기준 제품 번호
MTI85W100
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수량
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튜브
수량 단가 총액
104₩57,957.32692₩6,027,562
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