P채널 100 V 26A(Tc) 150W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
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P채널 100 V 26A(Tc) 150W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
TO-252AA

IXTY26P10T

DigiKey 제품 번호
IXTY26P10T-ND
제조업체
IXYS
제조업체 제품 번호
IXTY26P10T
제품 요약
MOSFET P-CH 100V 26A TO252
제조업체 표준 리드 타임
27주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
P채널 100 V 26A(Tc) 150W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
IXYS
계열
TrenchP™
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
P채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
26A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
90m옴 @ 13A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±15V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
3820 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
150W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-252AA
패키지/케이스
TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
기준 제품 번호
IXTY26
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수량
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튜브
수량 단가 총액
1₩7,815.00000₩7,815
70₩3,881.07143₩271,675
140₩3,547.48571₩496,648
560₩3,031.05000₩1,697,388
1,050₩2,874.32000₩3,018,036
제조업체 표준 포장
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