IXTV96N25T IXYS | 단일 FET, MOSFET

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 5V @ 1mA
제조업체 IXYS	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 114 nC @ 10 V
계열 Trench	Vgs(최대) ±30V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 6100 pF @ 25 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 625W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 250 V	공급 장치 패키지 PLUS220
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 96A(Tc)	패키지/케이스 TO-220-3, 짧은 탭
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IXTV96
Rds On(최대) @ Id, Vgs 29m옴 @ 500mA, 10V

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IXTV96N25T