Name: IXTT1N300P3HV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT1N300P3HV-ND
Price: 73077 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 IXYS	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 30.6 nC @ 10 V
계열 Polar P3™	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 895 pF @ 25 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 195W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 3000 V	공급 장치 패키지 TO-268HV(IXTT)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 1A(Tc)	패키지/케이스 TO-268-3, D3PAK(2리드 + 탭), TO-268AA
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IXTT1
Rds On(최대) @ Id, Vgs 50옴 @ 500mA, 10V