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유사

CSD18532KCS
Texas Instruments
재고 있음: 1,725
단가 : ₩481.00000
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유사

EKI06051
Sanken Electric USA Inc.
재고 있음: 0
단가 : ₩114.88500
규격서

유사

IRFB3207PBF
Infineon Technologies
재고 있음: 277
단가 : ₩619.00000
규격서

유사

IRFB3207ZPBF
Infineon Technologies
재고 있음: 5,956
단가 : ₩584.00000
규격서

유사

IRFB3306PBF
Infineon Technologies
재고 있음: 2,015
단가 : ₩423.00000
규격서

유사

IRFB7540PBF
Infineon Technologies
재고 있음: 885
단가 : ₩360.00000
규격서

유사

PSMN005-75P,127
Nexperia USA Inc.
재고 있음: 0
단가 : ₩276.47100
규격서

유사

PSMN4R2-60PLQ
Nexperia USA Inc.
재고 있음: 1
단가 : ₩685.00000
규격서
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N채널 55 V 200A(Tc) 360W(Tc) 스루홀 TO-220-3
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IXTP200N055T2

DigiKey 제품 번호
IXTP200N055T2-ND
제조업체
IXYS
제조업체 제품 번호
IXTP200N055T2
제품 요약
MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB
제조업체 표준 리드 타임
33주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 55 V 200A(Tc) 360W(Tc) 스루홀 TO-220-3
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
IXYS
계열
TrenchT2™
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
55 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
200A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
4.2m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
6800 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
360W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-220-3
패키지/케이스
TO-220-3
기준 제품 번호
IXTP200
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튜브
수량 단가 총액
1₩7,707.00000₩7,707
50₩3,999.06000₩199,953
100₩3,641.23000₩364,123
500₩3,014.23600₩1,507,118
1,000₩2,816.98600₩2,816,986
제조업체 표준 포장
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.