
IXTP08N100D2 | |
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DigiKey 제품 번호 | 238-IXTP08N100D2-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | IXTP08N100D2 |
제품 요약 | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB |
제조업체 표준 리드 타임 | 32주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N 채널, 편향 모드 1000 V 800mA(Tc) 60W(Tc) 스루홀 TO-220-3 |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | IXTP08N100D2 모델 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | ||
계열 | ||
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 활성 | |
FET 유형 | ||
기술 | ||
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000 V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | ||
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21옴 @ 400mA, 0V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | - | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
Vgs(최대) | ±20V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 325 pF @ 25 V | |
FET 특징 | - | |
내전력(최대) | 60W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
패키지/케이스 | ||
기준 제품 번호 |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩5,527.00000 | ₩5,527 |
| 50 | ₩2,794.68000 | ₩139,734 |
| 100 | ₩2,529.64000 | ₩252,964 |
| 500 | ₩2,065.15800 | ₩1,032,579 |
| 1,000 | ₩1,915.95200 | ₩1,915,952 |
| 2,000 | ₩1,816.13950 | ₩3,632,279 |







