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유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩7,413.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 1,035
단가 : ₩5,544.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 1,600
단가 : ₩1,532.52750
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 890
단가 : ₩6,332.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 1,392
단가 : ₩5,544.00000
규격서
N채널 100 V 80A(Tc) 230W(Tc) 표면 실장 TO-263-7(IXTA)
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N채널 100 V 80A(Tc) 230W(Tc) 표면 실장 TO-263-7(IXTA)
TO-263-7

IXTA80N10T7

DigiKey 제품 번호
IXTA80N10T7-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
IXTA80N10T7
제품 요약
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 100 V 80A(Tc) 230W(Tc) 표면 실장 TO-263-7(IXTA)
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
14m옴 @ 25A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4.5V @ 100µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
3040 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
230W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263-7(IXTA)
패키지/케이스
기준 제품 번호
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