Name: IXTA1R6N100D2HV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA1R6N100D2HV-ND
Price: 11695 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4.5V @ 100µA
제조업체 IXYS	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 27 nC @ 5 V
계열 Depletion	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 645 pF @ 10 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 100W(Tc)
FET 유형 N 채널, 편향 모드	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1000 V	공급 장치 패키지 TO-263HV
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 1.6A(Tj)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 0V	기준 제품 번호 IXTA1
Rds On(최대) @ Id, Vgs 10옴 @ 800mA, 0V

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