Name: IXTA1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA1R6N100D2-ND
Price: 7444 KRW
Availability: InStock

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제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	IXYS
계열	Depletion
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N 채널, 편향 모드
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	1000 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	1.6A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	10옴 @ 800mA, 0V
Vgs(th)(최대) @ Id	-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	27 nC @ 5 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	645 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	100W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	TO-263AA
패키지/케이스	TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호	IXTA1

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