Name: IXFT30N50Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFT30N50Q3-ND
Price: 29720 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 6.5V @ 4mA
제조업체 IXYS	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 62 nC @ 10 V
계열 HiPerFET™, Q3 Class	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3200 pF @ 25 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 690W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 500 V	공급 장치 패키지 TO-268AA
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 30A(Tc)	패키지/케이스 TO-268-3, D3PAK(2리드 + 탭), TO-268AA
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IXFT30
Rds On(최대) @ Id, Vgs 200m옴 @ 15A, 10V