Name: IXFP12N50P
Brand: IXYS
SKU: IXFP12N50P-ND
Price: 9382 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 5.5V @ 1mA
제조업체 IXYS	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 29 nC @ 10 V
계열 HiPerFET™, Polar	Vgs(최대) ±30V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1830 pF @ 25 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 200W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 500 V	공급 장치 패키지 TO-220-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 12A(Tc)	패키지/케이스 TO-220-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IXFP12
Rds On(최대) @ Id, Vgs 500m옴 @ 6A, 10V

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추가 리소스

대체품(4)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IRFB11N50APBF	Vishay Siliconix	307	IRFB11N50APBF-ND	₩6,197.00000	유사
SIHP12N50C-E3	Vishay Siliconix	27	742-SIHP12N50C-E3-ND	₩9,257.00000	유사
STP11NK50Z	STMicroelectronics	1,097	497-12604-5-ND	₩7,790.00000	유사
STP11NM50N	STMicroelectronics	109	497-10576-5-ND	₩4,480.00000	유사

재고: 46

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참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.

IXFP12N50P