유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | ||
계열 | ||
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 활성 | |
FET 유형 | ||
기술 | ||
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900 V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | ||
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 28A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 6.5V @ 3mA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 375 nC @ 10 V | |
Vgs(최대) | ±30V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 23000 pF @ 25 V | |
FET 특징 | - | |
내전력(최대) | 1000W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
패키지/케이스 | ||
기준 제품 번호 |
수량 | 단가 | 총액 |
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1 | ₩87,539.00000 | ₩87,539 |
10 | ₩66,876.40000 | ₩668,764 |
100 | ₩64,955.72000 | ₩6,495,572 |