N채널 1200 V 32A(Tc) 1000W(Tc) 섀시 실장 SOT-227B
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IXFN32N120P

DigiKey 제품 번호
IXFN32N120P-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
IXFN32N120P
제품 요약
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
제조업체 표준 리드 타임
65주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 1200 V 32A(Tc) 1000W(Tc) 섀시 실장 SOT-227B
규격서
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제품 특성
유형
제품 요약
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종류
제조업체
계열
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
310m옴 @ 500mA, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
6.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
21000 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
1000W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
섀시 실장
공급 장치 패키지
SOT-227B
패키지/케이스
기준 제품 번호
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튜브
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제조업체 표준 포장
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