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유사

IXFH110N10P
IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩13,297.00000
규격서

유사

IXFH76N15T2
IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩5,481.39667
규격서

유사

APT10M19BVRG
Microchip Technology
재고 있음: 16
단가 : ₩18,327.00000
규격서

유사

APT10M25BVRG
Microchip Technology
재고 있음: 0
단가 : ₩14,893.55000
규격서

유사

FDH3632
onsemi
재고 있음: 895
단가 : ₩8,810.00000
규격서

유사

HUF75639G3
onsemi
재고 있음: 295
단가 : ₩6,716.00000
규격서

유사

HUF75652G3
onsemi
재고 있음: 0
단가 : ₩16,068.00000
규격서

유사

IRFP140PBF
Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩7,620.00000
규격서

유사

IRFP150PBF
Vishay Siliconix
재고 있음: 1,246
단가 : ₩7,213.00000
규격서
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N채널 100 V 75A(Tc) 300W(Tc) 스루홀 TO-247AD(IXFH)
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IXFH75N10

DigiKey 제품 번호
IXFH75N10-ND
제조업체
IXYS
제조업체 제품 번호
IXFH75N10
제품 요약
MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 100 V 75A(Tc) 300W(Tc) 스루홀 TO-247AD(IXFH)
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
IXYS
계열
HiPerFET™
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
75A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
20m옴 @ 37.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 4mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
300W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-247AD(IXFH)
패키지/케이스
TO-247-3
기준 제품 번호
IXFH75
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