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종류 | Vgs(th)(최대) @ Id 5V @ 1.5mA |
제조업체 | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 29 nC @ 10 V |
계열 | Vgs(최대) ±30V |
포장 튜브 | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1520 pF @ 25 V |
부품 현황 활성 | 내전력(최대) 290W(Tc) |
FET 유형 | 작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ) |
기술 | 실장 유형 스루홀 |
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V | 공급 장치 패키지 TO-247(IXTH) |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 패키지/케이스 |
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V | 기준 제품 번호 |
Rds On(최대) @ Id, Vgs 200m옴 @ 9A, 10V |
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문서 및 미디어
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(7)
| 부품 번호 | 제조업체 | 주문 가능 수량 | DigiKey 제품 번호 | 단가 | 대체품 유형 |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | ₩11,420.00000 | 유사 |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 277 | SCT3120ALGC11-ND | ₩16,282.00000 | 유사 |
| STW26NM60N | STMicroelectronics | 289 | 497-9066-5-ND | ₩12,765.00000 | 유사 |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 582 | 497-16490-5-ND | ₩6,589.00000 | 유사 |
| TK16N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 20 | TK16N60WS1VF-ND | ₩9,387.00000 | 유사 |
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수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
튜브
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 300 | ₩7,094.85667 | ₩2,128,457 |
