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onsemi
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Rohm Semiconductor
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단가 : ₩7,614.00000
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N채널 650 V 18A(Tc) 290W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
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N채널 650 V 18A(Tc) 290W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
TO-263-D2PAK

IXFA18N65X2

DigiKey 제품 번호
238-IXFA18N65X2-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
IXFA18N65X2
제품 요약
MOSFET N-CH 650V 18A TO263
제조업체 표준 리드 타임
27주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 650 V 18A(Tc) 290W(Tc) 표면 실장 TO-263(D2PAK)
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
포장
튜브
부품 현황
활성
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
200m옴 @ 9A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
5V @ 1.5mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1520 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
290W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
공급 장치 패키지
TO-263(D2PAK)
패키지/케이스
기준 제품 번호
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튜브
수량 단가 총액
300₩4,107.43333₩1,232,230
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