Name: SPB21N50C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB21N50C3ATMA1TR-ND
Price: 7277 KRW
Availability: InStock

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SPB21N50C3ATMA1
DigiKey 제품 번호	SPB21N50C3ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SPB21N50C3ATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) SPB21N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	SPB21N50C3ATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
제조업체 표준 리드 타임	19주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 560 V 21A(Tc) 208W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3-2
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SPB21N50C3ATMA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.9V @ 1mA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 95 nC @ 10 V
계열 CoolMOS™	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2400 pF @ 25 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 208W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 560 V	공급 장치 패키지 PG-TO263-3-2
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 21A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 SPB21N50
Rds On(최대) @ Id, Vgs 190m옴 @ 13.1A, 10V