Name: SPB11N60C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB11N60C3ATMA1TR-ND
Price: 6834 KRW
Availability: InStock

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SPB11N60C3ATMA1
DigiKey 제품 번호	SPB11N60C3ATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) SPB11N60C3ATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) SPB11N60C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	SPB11N60C3ATMA1
제품 요약	MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 11A(Tc) 125W(Tc) 표면 실장 PG-TO263-3-2
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	SPB11N60C3ATMA1 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.9V @ 500µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 60 nC @ 10 V
계열 CoolMOS™	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1200 pF @ 25 V
부품 현황 기존 설계 전용	내전력(최대) 125W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 650 V	공급 장치 패키지 PG-TO263-3-2
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 11A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 SPB11N60
Rds On(최대) @ Id, Vgs 380m옴 @ 7A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(7)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IPB60R360P7ATMA1	Infineon Technologies	1,988	IPB60R360P7ATMA1CT-ND	₩3,425.00000	유사
FCB11N60TM	onsemi	988	FCB11N60TMCT-ND	₩7,476.00000	유사
IXTA14N60P	IXYS	189	IXTA14N60P-ND	₩9,433.00000	유사
R6011KNJTL	Rohm Semiconductor	0	R6011KNJTLCT-ND	₩5,030.00000	유사
STB13N60M2	STMicroelectronics	8,039	497-13828-1-ND	₩4,678.00000	유사