Name: ISG0613N04NM6HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND
Price: 7691 KRW
Availability: OutOfStock

MOSFET - 어레이 40V 42A(Ta), 299A(Tc) 3W(Ta), 167W(Tc) 표면 실장 PG-WHITFN-10-1

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ISG0613N04NM6HSCATMA1
DigiKey 제품 번호	448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	ISG0613N04NM6HSCATMA1
제품 요약	MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
제조업체 표준 리드 타임	35주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 40V 42A(Ta), 299A(Tc) 3W(Ta), 167W(Tc) 표면 실장 PG-WHITFN-10-1
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Infineon Technologies
계열	OptiMOS™ 6
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	2 N 채널(하프브리지)
FET 특징	-
드레인 - 소스 전압(Vdss)	40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	42A(Ta), 299A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs	0.88m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.8V @ 780µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	104nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	6200pF @ 20V
전력 - 최대	3W(Ta), 167W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	10-PowerWDFN
공급 장치 패키지	PG-WHITFN-10-1