MOSFET - 어레이 40V 7.2A(Ta), 9.6A(Tc), 6.6A(Ta), 8.8A(Tc) 1.4W(Ta), 2.5W(Tc) 표면 실장 PG-DSO-8-920
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MOSFET - 어레이 40V 7.2A(Ta), 9.6A(Tc), 6.6A(Ta), 8.8A(Tc) 1.4W(Ta), 2.5W(Tc) 표면 실장 PG-DSO-8-920
Infineon OptiMOSTM Dual N+N channel and N+P channel power MOSFETs in 30 V and 40 V in SO-8 package

ISA170230C04LMDSXTMA1

DigiKey 제품 번호
448-ISA170230C04LMDSXTMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
448-ISA170230C04LMDSXTMA1CT-ND - 컷 테이프(CT)
448-ISA170230C04LMDSXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체
제조업체 제품 번호
ISA170230C04LMDSXTMA1
제품 요약
ISA170230C04LMDSXTMA1
제조업체 표준 리드 타임
16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 40V 7.2A(Ta), 9.6A(Tc), 6.6A(Ta), 8.8A(Tc) 1.4W(Ta), 2.5W(Tc) 표면 실장 PG-DSO-8-920
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Infineon Technologies
계열
포장
테이프 및 릴(TR)
컷 테이프(CT)
Digi-Reel®
부품 현황
활성
기술
MOSFET(금속 산화물)
구성
N 및 P 채널
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7.2A(Ta), 9.6A(Tc), 6.6A(Ta), 8.8A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
17밀리옴 @ 9.6A, 10V, 23밀리옴 @ 8.8A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
2.7V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V
전력 - 최대
1.4W(Ta), 2.5W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
공급 장치 패키지
PG-DSO-8-920
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재고: 496
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컷 테이프(CT) & Digi-Reel®
수량 단가 총액
1₩2,307.00000₩2,307
10₩1,462.90000₩14,629
100₩975.39000₩97,539
500₩765.96800₩382,984
1,000₩698.61000₩698,610
2,000₩675.13250₩1,350,265
* 모든 Digi-Reel 주문에는 ₩8,000 릴링 요금이 추가됩니다.
테이프 및 릴(TR)
수량 단가 총액
4,000₩576.43625₩2,305,745
8,000₩551.57900₩4,412,632
제조업체 표준 포장