Name: IRLH5030TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLH5030TRPBFTR-ND
Price: 5932 KRW
Availability: InStock

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IRLH5030TRPBF
DigiKey 제품 번호	IRLH5030TRPBFTR-ND - 테이프 및 릴(TR) IRLH5030TRPBFCT-ND - 컷 테이프(CT) IRLH5030TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IRLH5030TRPBF
제품 요약	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 13A(Ta), 100A(Tc) 3.6W(Ta), 156W(Tc) 표면 실장 8-PQFN(5x6)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IRLH5030TRPBF 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 150µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 94 nC @ 10 V
계열 HEXFET®	Vgs(최대) ±16V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 5185 pF @ 50 V
부품 현황 기존 설계 전용	내전력(최대) 3.6W(Ta), 156W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	공급 장치 패키지 8-PQFN(5x6)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 13A(Ta), 100A(Tc)	패키지/케이스 8-PowerVDFN
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 IRLH5030
Rds On(최대) @ Id, Vgs 9m옴 @ 50A, 10V

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(4)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
BSC077N12NS3GATMA1	Infineon Technologies	8,363	BSC077N12NS3GATMA1CT-ND	₩6,806.00000	유사
CSD19533Q5A	Texas Instruments	272	296-37479-1-ND	₩3,731.00000	유사
CSD19533Q5AT	Texas Instruments	581	296-44472-1-ND	₩5,027.00000	유사
STL90N10F7	STMicroelectronics	2,136	497-13969-1-ND	₩3,637.00000	유사

재고: 3,940

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