IRFS4321-7PPBF Infineon Technologies | 이산 반도체 제품

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Infineon Technologies
계열	HEXFET®
포장	튜브
부품 현황	Digi-Key에서 공급 중단
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	150 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	86A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	14.7m옴 @ 34A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	4460 pF @ 50 V
FET 특징	-
내전력(최대)	350W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	D2PAK(7-Lead)
패키지/케이스	TO-263-7, D2PAK(6리드 + 탭)