Name: IRFB7530PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB7530PBF-ND
Price: 7017 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3.7V @ 250µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 411 nC @ 10 V
계열 HEXFET®, StrongIRFET™	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 13703 pF @ 25 V
부품 현황 최종 구매 가능일	내전력(최대) 375W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60 V	공급 장치 패키지 TO-220AB
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 195A(Tc)	패키지/케이스 TO-220-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	기준 제품 번호 IRFB7530
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2m옴 @ 100A, 10V

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추가 리소스

대체품(3)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IPP016N06NF2SAKMA1	Infineon Technologies	688	448-IPP016N06NF2SAKMA1-ND	₩4,388.00000	제조업체 추천
CSD18535KCS	Texas Instruments	332	296-47696-ND	₩6,283.00000	유사
FDP020N06B-F102	onsemi	1,526	FDP020N06B-F102-ND	₩10,426.00000	유사

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구매 가능한 마지막 날짜: 2026. 9. 30.

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