Name: IRF9Z34NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9Z34NSTRLPBFTR-ND
Price: 4571 KRW
Availability: InStock

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IRF9Z34NSTRLPBF
DigiKey 제품 번호	IRF9Z34NSTRLPBFTR-ND - 테이프 및 릴(TR) IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND - 컷 테이프(CT) IRF9Z34NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IRF9Z34NSTRLPBF
제품 요약	MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
제조업체 표준 리드 타임	48주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	P채널 55 V 19A(Tc) 3.8W(Ta), 68W(Tc) 표면 실장 D2PAK
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IRF9Z34NSTRLPBF 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 35 nC @ 10 V
계열 HEXFET®	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 620 pF @ 25 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 3.8W(Ta), 68W(Tc)
FET 유형 P채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 55 V	공급 장치 패키지 D2PAK
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 19A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IRF9Z34
Rds On(최대) @ Id, Vgs 100m옴 @ 10A, 10V

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재고: 15,381

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