Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 2094 KRW
Availability: InStock

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IRF7341TRPBFXTMA1
DigiKey 제품 번호	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IRF7341TRPBFXTMA1
제품 요약	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
제조업체 표준 리드 타임	25주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 55V 4.7A(Tc) 2W(Tc) 표면 실장 PG-DSO-8-902
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IRF7341TRPBFXTMA1 모델

제품 특성

유사 제품 검색

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이	Rds On(최대) @ Id, Vgs 50m옴 @ 4.7A, 10V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(th)(최대) @ Id 1V @ 250µA
계열 HEXFET®	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 36nC(10V)
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 740pF @ 25V
부품 현황 활성	전력 - 최대 2W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
구성 2 N-Chan(이중)	실장 유형 표면 실장
FET 특징 논리 레벨 게이트	패키지/케이스 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 55V	공급 장치 패키지 PG-DSO-8-902
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 4.7A(Tc)

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