Name: IRF2807PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF2807PBF-ND
Price: 4357 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 160 nC @ 10 V
계열 HEXFET®	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3820 pF @ 25 V
부품 현황 기존 설계 전용	내전력(최대) 230W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 75 V	공급 장치 패키지 TO-220AB
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 82A(Tc)	패키지/케이스 TO-220-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 IRF2807
Rds On(최대) @ Id, Vgs 13m옴 @ 43A, 10V

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환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(7)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
DIT095N08	Diotec Semiconductor	983	4878-DIT095N08-ND	₩3,134.00000	유사
DMT6009LCT	Diodes Incorporated	1,523	DMT6009LCTDI-5-ND	₩2,324.00000	유사
IRFB3607PBF	Rochester Electronics, LLC	544	2156-IRFB3607PBF-ND	₩1,102.50000	유사
STP140N8F7	STMicroelectronics	902	497-STP140N8F7-ND	₩5,030.00000	유사
STP140NF75	STMicroelectronics	447	497-5894-5-ND	₩7,124.00000	유사

재고: 4,446

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