Name: IQE013N04LM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND
Price: 5993 KRW
Availability: InStock

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IQE013N04LM6SCATMA1
DigiKey 제품 번호	448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IQE013N04LM6SCATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IQE013N04LM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IQE013N04LM6SCATMA1
제품 요약	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
제조업체 표준 리드 타임	61주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 40 V 31A(Ta), 205A(Tc) 2.5W(Ta), 107W(Tc) 표면 실장 PG-WHSON-8-1
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IQE013N04LM6SCATMA1 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Rds On(최대) @ Id, Vgs 1.35m옴 @ 20A, 10V
제조업체 Infineon Technologies	Vgs(th)(최대) @ Id 2V @ 51µA
계열 OptiMOS™ 6	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 41 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3800 pF @ 20 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 2.5W(Ta), 107W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 40 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 31A(Ta), 205A(Tc)	공급 장치 패키지 PG-WHSON-8-1
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	패키지/케이스 8-PowerWDFN

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