Name: IQDH35N03LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH35N03LM5CGATMA1TR-ND
Price: 5519 KRW
Availability: OutOfStock

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IQDH35N03LM5CGATMA1
DigiKey 제품 번호	448-IQDH35N03LM5CGATMA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 448-IQDH35N03LM5CGATMA1CT-ND - 컷 테이프(CT) 448-IQDH35N03LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Infineon Technologies
제조업체 제품 번호	IQDH35N03LM5CGATMA1
제품 요약	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
제조업체 표준 리드 타임	61주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 66A(Ta), 700A(Tc) 2.5W(Ta), 278W(Tc) 표면 실장 PG-TTFN-9-U02
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	IQDH35N03LM5CGATMA1 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2V @ 1.46mA
제조업체 Infineon Technologies	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 197 nC @ 10 V
계열 OptiMOS™ 5	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 18000 pF @ 15 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 2.5W(Ta), 278W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	공급 장치 패키지 PG-TTFN-9-U02
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 66A(Ta), 700A(Tc)	패키지/케이스 9-PowerTDFN
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 IQDH35
Rds On(최대) @ Id, Vgs 0.35m옴 @ 50A, 10V

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